IRFD110 Harris Corporation | FET simples, MOSFETs

IRFD110
Número de produto da DigiKey	2156-IRFD110-ND
Fabricante	Harris Corporation
Número de produto do fabricante	IRFD110
Descrição	1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 1A (Ta) 1,3W (Ta) Furo passante 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Harris Corporation
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	540mOhm a 600mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	180 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,3W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / Invólucro	4-DIP (0,300", 7,62mm)
Número base de produto	IRFD110

IRFD110