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IRFD112

Número de produto da DigiKey
2156-IRFD112-ND
Fabricante
Harris Corporation
Número de produto do fabricante
IRFD112
Descrição
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Furo passante 4-DIP, Hexdip
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
800mOhm a 800mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
135 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
4-DIP, Hexdip
Pacote / Invólucro
Perguntas e respostas sobre o produto

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Em estoque: 821
Não-cancelável/não-retornável
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Será aplicada separadamente uma taxa de frete fixa de 78,31 €
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LIMITE MÁXIMO DE COMPRA
Granel:821
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Granel
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