Name: AIMBG120R020M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND
Price: 25.1043 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AIMBG120R020M1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-AIMBG120R020M1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	AIMBG120R020M1XTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	AIMBG120R020M1XTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 82 nC @ 20 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +23V, -5V
Séries CoolSiC™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2667 pF @ 800 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 468W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 104A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-12
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V, 20V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 25mOhm a 43A, 20V	Número base de produto AIMBG120
Vgs(th) (máx.) para Id 5,1V a 15mA