Name: BSC004NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.5793 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC004NE2LS5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-BSC004NE2LS5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSC004NE2LS5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSC004NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC004NE2LS5ATMA1
Descrição	TRENCH <= 40V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 25 V 40A (Ta), 479A (Tc) 2,5W (Ta), 188W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC004NE2LS5ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,45mOhm a 30A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 10mA
Séries OptiMOS™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 238 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 11000 pF @ 12.5 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 188W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Ta), 479A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8