Name: BSC0502NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0502NSIATMA1TR-ND
Price: 1.7835 EUR
Availability: InStock

BSC0502NSIATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC0502NSIATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC0502NSIATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC0502NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC0502NSIATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 43W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC0502NSIATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	26A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1600 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-6
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC0502

Preço unitário sem VAT:	1,45000 €
Preço unitário com VAT:	1,78350 €

BSC0502NSIATMA1