Name: BSC050N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC050N04LSGATMA1TR-ND
Price: 1.2423 EUR
Availability: InStock

BSC050N04LSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC050N04LSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC050N04LSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC050N04LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC050N04LSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 18A (Ta), 85A (Tc) 2,5W (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-5
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC050N04LSGATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Ta), 85A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 27µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3700 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-5
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSC050

Preço unitário sem VAT:	1,01000 €
Preço unitário com VAT:	1,24230 €

BSC050N04LSGATMA1