Name: BSC088N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC088N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.8376 EUR
Availability: InStock

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BSC088N15LS5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-BSC088N15LS5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSC088N15LS5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSC088N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC088N15LS5ATMA1
Descrição	TRENCH >=100V
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 11,7A (Ta), 87A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 8,8mOhm a 46A, 10V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 107µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 26 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3500 pF @ 75 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 139W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11,7A (Ta), 87A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8