Name: BSC105N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: OutOfStock

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BSC105N15LS5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSC105N15LS5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSC105N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC105N15LS5ATMA1
Descrição	TRENCH >=100V
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 10,7A (Ta), 76A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10,7A (Ta), 76A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10,5mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,3V a 91µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3000 pF @ 75 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8

Preço unitário sem VAT:	2,63000 €
Preço unitário com VAT:	3,23490 €

BSC105N15LS5ATMA1