Name: BSC096N10LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC096N10LS5ATMA1TR-ND
Price: 1.5867 EUR
Availability: InStock

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BSC096N10LS5ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-BSC096N10LS5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-BSC096N10LS5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-BSC096N10LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC096N10LS5ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 40A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC096N10LS5ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 36µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14.6 nC @ 4.5 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2100 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 83W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-6
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto BSC096
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,6mOhm a 20A, 10V

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