BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

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BSC100N03MSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSC100N03MSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSC100N03MSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSC100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSC100N03MSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2,5W (Ta), 30W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-5
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSC100N03MSGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1700 pF @ 15 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 30W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-5
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Ta), 44A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto BSC100
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10mOhm a 30A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (13)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
BSC0909NSATMA1	Infineon Technologies	0	BSC0909NSATMA1CT-ND	0,80000 €	Recomendado pelo fabricante
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