BSZ035N03LSGATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

BSZ035N03LSGATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Preço unitário : 2,18000 €

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BSZ035N03LSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ035N03LSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ035N03LSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ035N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ035N03LSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ035N03LSGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 56 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4400 pF @ 15 V
Part Status Obsoleto	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A (Ta), 40A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto BSZ035
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,5mOhm a 20A, 10V