Name: BSZ035N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ035N03MSGATMA1TR-ND
Price: 1.5129 EUR
Availability: InStock

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BSZ035N03MSGATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ035N03MSGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ035N03MSGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ035N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ035N03MSGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ035N03MSGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 74 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5700 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Ta), 40A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto BSZ035
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,5mOhm a 20A, 10V

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (3)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
FDMC7660	onsemi	1 884	FDMC7660CT-ND	2,18000 €	Direct
CSD17581Q5A	Texas Instruments	1 671	296-49602-1-ND	1,08000 €	Similar
RJK03M5DNS-00#J5	Renesas Electronics Corporation	7 826	RJK03M5DNS-00#J5CT-ND	1,61000 €	Similar