Name: BSZ067N06LS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND
Price: 2.2386 EUR
Availability: InStock

BSZ067N06LS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ067N06LS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ067N06LS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ067N06LS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 14A (Ta), 79A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ067N06LS3GATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 3
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14A (Ta), 79A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 35µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5100 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	BSZ067

Preço unitário sem VAT:	1,82000 €
Preço unitário com VAT:	2,23860 €

BSZ067N06LS3GATMA1