Name: BSZ0904NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0904NSIATMA1TR-ND
Price: 1.2177 EUR
Availability: InStock

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BSZ0904NSIATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ0904NSIATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ0904NSIATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ0904NSIATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ0904NSIATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 11 nC @ 4.5 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1463 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Característica FET Diodo Schottky (corpo)
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta), 37W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Ta), 40A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-FL
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4mOhm a 30A, 10V	Número base de produto BSZ0904