Name: BSZ097N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 2.4231 EUR
Availability: InStock

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BSZ097N10NS5ATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ097N10NS5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ097N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ097N10NS5ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ097N10NS5ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 36µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 28 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2080 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8A (Ta), 40A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto BSZ097
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,7mOhm a 20A, 10V