Name: BSZ110N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 2.1648 EUR
Availability: OutOfStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

BSZ110N08NS5ATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ110N08NS5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ110N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ110N08NS5ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 40A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-FL
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ110N08NS5ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 22µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 18.5 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1300 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto BSZ110
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11mOhm a 20A, 10V