Name: BSZ900N15NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ900N15NS3GATMA1TR-ND
Price: 1.9434 EUR
Availability: InStock

BSZ900N15NS3GATMA1
Número de produto da DigiKey	BSZ900N15NS3GATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) BSZ900N15NS3GATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) BSZ900N15NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	BSZ900N15NS3GATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSZ900N15NS3GATMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	90mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 20µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	510 pF @ 75 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	38W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	BSZ900

Preço unitário sem VAT:	1,58000 €
Preço unitário com VAT:	1,94340 €

BSZ900N15NS3GATMA1