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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | FF4MR12W2M1HB11BPSA1 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 10 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 170A (Tj) Montagem em chassis Módulo |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 170A (Tj) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 4mOhm a 200A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,15V a 80mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 594nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 17600pF a 800V | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | Módulo | |
Número base de produto |
Em estoque: 16
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 159,46000 € | 159,46 € |
| 15 | 147,34733 € | 2 210,21 € |
| Preço unitário sem VAT: | 159,46000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 196,13580 € |
Portugal