Name: FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Price: 209.4567 EUR
Availability: InStock

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FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Número de produto da DigiKey	448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Descrição	LOW POWER EASY
Tempo de espera previsto do fabricante	10 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 200A Montagem em chassis
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Bandeja
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4mOhm a 200A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,15V a 80mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	594nC a 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	17600pF a 800V
Potência - Máx.	-
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	-

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1	170,29000 €	170,29 €
15	159,07133 €	2 386,07 €

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