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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH003P120M3F2PTHG | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXH003P120M3F2PTHG |
Descrição | MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montagem em chassis 36-PIM (56,7x62,8) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 350A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 5mOhm para 200A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 160mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 1195nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 20889pF a 800V | |
Potência - Máx. | 979W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 36-PIM (56,7x62,8) | |
Número base de produto |
Em estoque: 33
Estoque de fábrica: 180
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 177,76000 € | 177,76 € |
| 20 | 167,44750 € | 3 348,95 € |
| Preço unitário sem VAT: | 177,76000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 218,64480 € |
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