NXH004P120M3F2PTHG
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH004P120M3F2PTHG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH004P120M3F2PTHG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH004P120M3F2PTHG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH004P120M3F2PTHG
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Tempo de espera previsto do fabricante
20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 284A (Tc) 785W (Tc) Montagem em chassis 36-PIM (56,7x62,8)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
284A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
5,5mOhm para 200A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 120mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
876nC a 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
16410pF a 800V
Potência - Máx.
785W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C a 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
36-PIM (56,7x62,8)
Número base de produto
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Em estoque: 20
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Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
1153,88000 €153,88 €
20141,32500 €2 826,50 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:153,88000 €
Preço unitário com VAT:189,27240 €