Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Montagem em chassis 34-PIM (56,7x42,5)
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NXH007F120M3F2PTHG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH007F120M3F2PTHG
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Tempo de espera previsto do fabricante
23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Montagem em chassis 34-PIM (56,7x42,5)
Ficha técnica
 Ficha técnica
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 60mA
Fabricante
onsemi
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
407nC a 18V
Embalagem
Bandeja
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
9090pF a 800V
Part Status
Ativo
Potência - Máx.
353W (Tj)
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Temperatura de operação
-40°C a 175°C (TJ)
Configuração
4 canais N (ponte completa)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Pacote / Invólucro
Módulo
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
149A (Tc)
Invólucro do dispositivo fornecido
34-PIM (56,7x42,5)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
10mOhm a 120A, 18V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
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Quantidade Preço unitário Preço total
1144,54000 €144,54 €
20124,38900 €2 487,78 €
Embalagem padrão do fabricante
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