
NXH007F120M3F2PTHG | |
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Número de produto da DigiKey | 5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXH007F120M3F2PTHG |
Descrição | MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 149A (Tc) 353W (Tj) Montagem em chassis 34-PIM (56,7x42,5) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,4V a 60mA |
Fabricante onsemi | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 407nC a 18V |
Embalagem Bandeja | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 9090pF a 800V |
Part Status Ativo | Potência - Máx. 353W (Tj) |
Tecnologia Carboneto de silício (SiC) | Temperatura de operação -40°C a 175°C (TJ) |
Configuração 4 canais N (ponte completa) | Tipo de montagem Montagem em chassis |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200V (1,2kV) | Pacote / Invólucro Módulo |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 149A (Tc) | Invólucro do dispositivo fornecido 34-PIM (56,7x42,5) |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10mOhm a 120A, 18V | Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 144,54000 € | 144,54 € |
| 20 | 124,38900 € | 2 487,78 € |
| Preço unitário sem VAT: | 144,54000 € |
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| Preço unitário com VAT: | 177,78420 € |








