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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
GCMX010A120B3H1P | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 1560-GCMX010A120B3H1P-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GCMX010A120B3H1P |
Descrição | 1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | SemiQ | |
Séries | ||
Embalagem | Caixa | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N (ponte completa) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 201A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 14mOhm a 100A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 40mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 428nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 10900pF a 800V | |
Potência - Máx. | 600W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
Em estoque: 17
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Caixa
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 116,93000 € | 116,93 € |
| 10 | 102,41100 € | 1 024,11 € |
| Preço unitário sem VAT: | 116,93000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 143,82390 € |
Portugal