
GCMX005A120B3B1P | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 1560-GCMX005A120B3B1P-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GCMX005A120B3B1P |
Descrição | MOSFET 4N-CH 1200V 383A |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 383A (Tc) 1154W (Tc) Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | SemiQ | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 383A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 7mOhm a 200A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 80mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 927nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 23500pF a 800V | |
Potência - Máx. | 1154W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 114,30000 € | 114,30 € |
| Preço unitário sem VAT: | 114,30000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 140,58900 € |




