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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH008T120M3F2PTHG | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXH008T120M3F2PTHG |
Descrição | MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM |
Tempo de espera previsto do fabricante | 23 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 129A (Tc) 371W (Tj) Montagem em chassis 29-PIM (56,7x42,5) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 129A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 11,5mOhm a 100A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 60mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 454nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 9129pF a 800V | |
Potência - Máx. | 371W (Tj) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 29-PIM (56,7x42,5) | |
Número base de produto |
Em estoque: 4
Estoque de fábrica: 140
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 145,95000 € | 145,95 € |
| 20 | 133,03700 € | 2 660,74 € |
| Preço unitário sem VAT: | 145,95000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 179,51850 € |
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