NFAM3065L4BL
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NFAM3065L4BL
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH011T120M3F2PTHG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH011T120M3F2PTHG
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Tempo de espera previsto do fabricante
20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 91A (Tc) 272W (Tj) Montagem em chassis 29-PIM (56,7x42,5)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
4 canais N (inversor solar)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
91A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
16mOhm a 70A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 40mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
306nC a 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
6331pF a 800V
Potência - Máx.
272W (Tj)
Temperatura de operação
-40°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
29-PIM (56,7x42,5)
Número base de produto
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Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
197,61000 €97,61 €
2082,61650 €1 652,33 €
Embalagem padrão do fabricante
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