NXH004P120M3F2PTNG
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH004P120M3F2PTNG
NXH004P120M3F2PTNG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH003P120M3F2PTNG

Número de produto da DigiKey
5556-NXH003P120M3F2PTNG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NXH003P120M3F2PTNG
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Tempo de espera previsto do fabricante
20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 435A (Tj) 1,48kW (Tj) Montagem em chassis 36-PIM (56,7x62,8)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
onsemi
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
435A (Tj)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
5mOhm para 200A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,4V a 160mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
1200nC a 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
20889pF a 800V
Potência - Máx.
1,48kW (Tj)
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
36-PIM (56,7x62,8)
Número base de produto
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Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
1192,79000 €192,79 €
20183,74000 €3 674,80 €
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:192,79000 €
Preço unitário com VAT:237,13170 €