Name: IAUMN10S5N016GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUMN10S5N016GAUMA1TR-ND
Price: 6.2853 EUR
Availability: InStock

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IAUMN10S5N016GAUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUMN10S5N016GAUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUMN10S5N016GAUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUMN10S5N016GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUMN10S5N016GAUMA1
Descrição	MOSFET_(75V 120V(
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 220A (Tj) 325W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-4-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUMN10S5N016GAUMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,8V a 230µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 190 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 5	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 13570 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 325W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 220A (Tj)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOG-4-1
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,6mOhm a 100A, 10V	Pacote / Invólucro 4-PowerSFN