Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 10.824 EUR
Availability: OutOfStock

Novo produto

Canal N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-4-1

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IPM018N10NM5LF2AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Descrição	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOG-4-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 100A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3,45V a 240µA
Séries OptiMOS™ 5	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 178 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 14000 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOG-4-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V	Pacote / Invólucro 4-PowerSFN