Name: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF018N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 6.7896 EUR
Availability: InStock

Novo produto

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPF018N10NM5LF2ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPF018N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPF018N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPF018N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPF018N10NM5LF2ATMA1
Descrição	IPF018N10NM5LF2ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 31A (Ta), 259A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPF018N10NM5LF2ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	31A (Ta), 259A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 100A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 280µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	17000 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-3
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)