Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 7.9581 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IAUTN15S6N025ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUTN15S6N025ATMA1
Descrição	MOSFET_(120V 300V)
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUTN15S6N025ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 270µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 139 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 9900 pF @ 75 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 357W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 245A (Tj)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-1
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,5mOhm a 100A, 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN

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