Name: XPQ1R00AQB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND
Price: 6.4698 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 100 V 300A (Ta) 750W (Tc) Montagem em superfície L-TOGL™

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

XPQ1R00AQB,LXHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPQ1R00AQBLXHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPQ1R00AQB,LXHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPQ1R00AQB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPQ1R00AQB,LXHQ
Descrição	100V UMOS10 L-TOGL 1.03MOHM
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 300A (Ta) 750W (Tc) Montagem em superfície L-TOGL™
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1,5mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 269 nC @ 10 V
Séries U-MOSX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 21450 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 750W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 300A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido L-TOGL™
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,03mOhm a 150A, 10V	Pacote / Invólucro PowerBSFN-8