Name: XPQR8308QB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQR8308QBLXHQTR-ND
Price: 6.519 EUR
Availability: InStock

Canal N 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) Montagem em superfície L-TOGL™

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XPQR8308QB,LXHQ
Número de produto da DigiKey	264-XPQR8308QBLXHQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-XPQR8308QB,LXHQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-XPQR8308QB,LXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	XPQR8308QB,LXHQ
Descrição	80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 350A (Ta) 750W (Tc) Montagem em superfície L-TOGL™
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 3,2mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 305 nC @ 10 V
Séries U-MOSX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 24700 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 750W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 350A (Ta)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido L-TOGL™
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,83mOhm a 175A, 10V	Pacote / Invólucro PowerBSFN-8