Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 2.6199 EUR
Availability: InStock

IGB110S101XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGB110S101XTMA1
Descrição	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montagem em superfície PG-VSON-4-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGB110S101XTMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolGaN™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Ta), 23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11mOhm a 10A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,9V a 3mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±6,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	340 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-VSON-4-3
Pacote / Invólucro	4-PowerVDFN

Preço unitário sem VAT:	2,13000 €
Preço unitário com VAT:	2,61990 €

IGB110S101XTMA1