Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.9397 EUR
Availability: InStock

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IGB110S10S1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGB110S10S1XTMA1
Descrição	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-4-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGB110S10S1XTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 11mOhm a 10A, 5V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 2,9V a 3mA
Séries CoolGaN™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3.4 nC @ 5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±6,5V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 340 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 9A (Ta), 23A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TSON-4-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V	Pacote / Invólucro 4-PowerTDFN