Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 4.5633 EUR
Availability: InStock

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IGC025S08S1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGC025S08S1XTMA1
Descrição	MV GAN DISCRETES
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montagem em superfície PG-TSON-6-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IGC025S08S1XTMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolGaN™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	23A (Ta), 86A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,5mOhm a 25A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2.9V @ 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±6,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1250 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSON-6-2
Pacote / Invólucro	6-PowerTDFN

Preço unitário sem VAT:	3,71000 €
Preço unitário com VAT:	4,56330 €

IGC025S08S1XTMA1