Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 22.2876 EUR
Availability: InStock

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IMBG65R010M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBG65R010M2HXTMA1
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	158A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,1mOhm a 92,1A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,6V a 18,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	112 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4001 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	535W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-12
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA

Preço unitário sem VAT:	18,12000 €
Preço unitário com VAT:	22,28760 €

IMBG65R010M2HXTMA1