Name: IMDQ65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND
Price: 26.0514 EUR
Availability: InStock

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IMDQ65R010M2HXUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMDQ65R010M2HXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMDQ65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMDQ65R010M2HXUMA1
Descrição	IMDQ65R010M2HXUMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 154A (Tc) 651W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMDQ65R010M2HXUMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,1mOhm a 92,1A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 18,7mA
Séries CoolSiC™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 113 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -10V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4002 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 651W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 154A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HDSOP-22-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Pacote / Invólucro Módulo 22-PowerBSOP