Name: IMLT65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMLT65R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 12.3369 EUR
Availability: InStock

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IMLT65R026M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMLT65R026M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMLT65R026M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMLT65R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMLT65R026M2HXTMA1
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 82A (Tc) 365W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMLT65R026M2HXTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 24mOhm a 34,5A, 20V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 7mA
Séries CoolSiC™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 42 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -7V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1499 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 365W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 82A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HDSOP-16-6
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V	Pacote / Invólucro Módulo 16-PowerSOP