Name: IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Price: 16.1868 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IMT65R015M2HXUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMT65R015M2HXUMA1
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 131A (Tc) 535W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita cortada (CT) Digi-Reel® Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	131A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	13,2mOhm a 64,2A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,6V a 13mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2792 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	535W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-2
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN

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Em estoque: 1 030

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Quantidade

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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	13,16000 €	13,16 €
10	9,27900 €	92,79 €
100	8,42350 €	842,35 €

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.

Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
2 000	6,88196 €	13 763,92 €

Embalagem padrão do fabricante

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