Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 7.995 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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IMT65R50M2HXUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMT65R50M2HXUMA1
Descrição	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMT65R50M2HXUMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™ G2
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	48,1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	62mOhm a 18,2A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,6V a 3,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	790 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	237W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-2
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN

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