IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB120N03S4L03ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB120N03S4L03ATMA1-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB120N03S4L03ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 120A (Tc) 79W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 40µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5300 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	79W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB120