Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND
Price: 4.8954 EUR
Availability: InStock

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IPB180N06S4H1ATMA2
Número de produto da DigiKey	448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB180N06S4H1ATMA2
Descrição	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	9 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB180N06S4H1ATMA2 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,7mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	21900 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	250W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)
Número base de produto	IPB180