Name: IPB50N10S3L16ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND
Price: 3.3333 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB50N10S3L16ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB50N10S3L16ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	9 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	15,4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 60µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4180 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3-2
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB50N10

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1 000	0,88775 €	887,75 €
2 000	0,84179 €	1 683,58 €

Preço unitário sem VAT:	2,71000 €
Preço unitário com VAT:	3,33330 €

IPB50N10S3L16ATMA1