Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 8.4255 EUR
Availability: InStock

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IPB65R110CFDAATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB65R110CFDAATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB65R110CFDAATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 118 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries CoolMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3240 pF @ 100 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 277,8W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 31,2A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 110mOhm a 12,7A, 10V	Número base de produto IPB65R110
Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 1,3mA