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IPB65R150CFDATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IPB65R150CFDATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPB65R150CFDATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPB65R150CFDATMA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 150mOhm a 9,3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,5V a 900µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2340 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 195,3W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO263-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Obsoleto
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