IPB65R150CFDATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.
Substitutos disponíveis:

Equivalente paramétrico


Infineon Technologies
Em estoque: 1 047
Preço unitário : 4,56000 €
Ficha técnica

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Em estoque: 800
Preço unitário : 4,80000 €
Ficha técnica

Similar


onsemi
Em estoque: 651
Preço unitário : 7,07000 €
Ficha técnica

Similar


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : 1,81799 €
Ficha técnica

Similar


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : 4,28000 €
Ficha técnica

Similar


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : 2,26430 €
Ficha técnica

Similar


Vishay Siliconix
Em estoque: 44
Preço unitário : 4,42000 €
Ficha técnica

Similar


Vishay Siliconix
Em estoque: 0
Preço unitário : 2,78784 €
Ficha técnica

Similar


Vishay Siliconix
Em estoque: 1 416
Preço unitário : 6,02000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 809
Preço unitário : 3,88000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 688
Preço unitário : 6,49000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 1 905
Preço unitário : 2,38000 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 0
Preço unitário : 1,91772 €
Ficha técnica

Similar


STMicroelectronics
Em estoque: 1 060
Preço unitário : 4,35000 €
Ficha técnica
Canal N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

Número de produto da DigiKey
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPB65R150CFDATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IPB65R150CFDATMA1 Modelos
Atributos de produto
Filtrar produtos similares
Mostrar atributos vazios
Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4,5V a 900µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
86 nC @ 10 V
Séries
Vgs (máx.)
±20V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2340 pF @ 100 V
Part Status
Obsoleto
Dissipação de potência (máx.)
195,3W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
150mOhm a 9,3A, 10V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (15)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
IPB65R150CFDATMA2Infineon Technologies1 047448-IPB65R150CFDATMA2CT-ND4,56000 €Equivalente paramétrico
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.800785-1539-1-ND4,80000 €Similar
FCB110N65Fonsemi651FCB110N65FCT-ND7,07000 €Similar
SIHB22N60AE-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60AE-GE3-ND1,81799 €Similar
SIHB22N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHB22N60E-GE3-ND4,28000 €Similar
Obsoleto
Este produto não é mais fabricado. Ver Substitutos.