IPB80N06S2H5ATMA1 está fora de estoque e pendências de pedido não são aceitas atualmente.
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Infineon Technologies
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Ficha técnica

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STMicroelectronics
Em estoque: 1 496
Preço unitário : 3,09000 €
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STMicroelectronics
Em estoque: 1 550
Preço unitário : 3,14000 €
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Canal N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB80N06S2H5ATMA1

Número de produto da DigiKey
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPB80N06S2H5ATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
155 nC @ 10 V
Fabricante
Vgs (máx.)
±20V
Séries
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4400 pF @ 25 V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Dissipação de potência (máx.)
300W (Tc)
Part Status
Descontinuado na DigiKey
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET
Grau
Automotivo
Tecnologia
Qualificação
AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss)
55 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO263-3-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
5,2mOhm a 80A, 10V
Número base de produto
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 230µA
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (10)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
IPB80N06S2H5ATMA2Infineon Technologies289IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND3,88000 €Direct
STB140NF55T4STMicroelectronics1 496497-4321-1-ND3,09000 €Direct
STB80NF55-06T4STMicroelectronics1 550497-6558-1-ND3,14000 €Direct
STB85NF55T4STMicroelectronics449497-19647-1-ND2,91000 €Direct
IXFA230N075T2IXYS0IXFA230N075T2-ND4,03387 €Similar
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