Name: IPC100N04S51R9ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND
Price: 1.9926 EUR
Availability: InStock

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IPC100N04S51R9ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPC100N04S51R9ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPC100N04S51R9ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-34
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPC100N04S51R9ATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,4V a 50µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3770 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-34
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	IPC100