Name: IPD031N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD031N03LGATMA1TR-ND
Price: 1.7958 EUR
Availability: InStock

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IPD031N03LGATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD031N03LGATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD031N03LGATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD031N03LGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD031N03LGATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-11
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD031N03LGATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 51 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5300 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 94W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3-11
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 90A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto IPD031
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,1mOhm a 30A, 10V