Name: IPD50P04P4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50P04P4L11ATMA2TR-ND
Price: 1.8942 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPD50P04P4L11ATMA2
Número de produto da DigiKey	448-IPD50P04P4L11ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD50P04P4L11ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD50P04P4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD50P04P4L11ATMA2
Descrição	MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3-313
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD50P04P4L11ATMA2 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 59 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) +5V, -16V
Séries OptiMOS™ P2	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3900 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 58W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal P	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 50A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO252-3-313
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 10,6mOhm a 50A, 10V	Número base de produto IPD50
Vgs(th) (máx.) para Id 2,2V a 85µA